DDR & DDR2
Bộ nhớ DDR2 được hỗ trợ cho Maionboard High-end . Sự khác nhau chính giữa bộ nhớ DDR và DDR2 :
Bộ nhớ DDR thường được thấy có tần số 266 MHz, 333 MHz và 400 MHz , trong khi bộ nhớ DDR2 thường thấy có tần số 400 MHz, 533 MHz, 667 MHz , 800 MHz . Cả hai kiểu đều truyền hai dữ liệu trong cùng một xung nhịp đồng hồ . Tần số làm việc ghi trên thanh nhớ không phải là tần số thực mà nó chỉ có giá trị một nửa . Ví dụ bộ nhớ DDR2-667 làm việc với tần số xung nhịp đồng hồ thực là 333MHz.
Bộ nhớ DDR2 có công suất tiêu hao thấp hơn bộ nhớ DDR .
Bộ nhớ DDR là việc với điện áp nuôi 2.5V trong khi DDR2 điện áp là 1.8V .
Trên bộ nhớ DDR có điện trở để đánh dấu vị trí làm việc trên Mainboard , trong khi bộ nhớ DDR2 mạch điện này nằm bên trong Chip nhớ . đó là nguyên nhân tại sao không thể cài bộ nhớ DDR2 vào khe nhớ DDR hoặc ngược lại .
Bộ nhớ DDR có 184 tiếp điểm , trong khi DDR2 có 240 tiếp điểm .
Bộ nhớ DDR có tham số CL - “CAS Latency” - có thể 2, 2.5 hoặc 3 chi kì đồng hồ trong khi bộ nhớ DDR2 giá trị này có thể là 3,4 hoặc 5 chu kì đồng hồ .
Trong bộ nhớ DDR , tuỳ theo Chip nhớ , giá trị AL là 0,1,2,3,4 hoặc 5 chu kì đồng hồ . Bộ nhớ DDR2 có CL4 và AL1 là 5 .
Trong bộ nhớ DDR2: thời gian để ghi = thời gian đọc (CL+AL) + 1
Phần điều khiển bên trong bộ nhớ DDR làm việc bằng cách tải trước 02 bit dữ liệu từ vùng lưu trữ ( gọi là Prefetch) , trong khi bộ nhớ DDR2 giá trị này là 04 bit .
Thanh nhớ DDR và DDR2 có cùng kích thước vật lí , nhưng bộ nhớ DDR có 184 tiếp điểm , DDR2 có 240 tiếp điểm , theo hình dưới đây :
Tất cả Chip nhớ DDR2 dùng đóng gói kiểu BGA (Ball Grid Array) , hình dưới
Hầu hết Chip nhớ của DDR dùng TSOP (Thin Small-Outline Package) , theo hình dưới đây :
Điện trở cuối
Trong thanh nhớ DDR cần điện trở đầu cuối để xác định vị trí trên Mainboard , trong khi đối với bộ nhớ DDR2 mạch điện này nằm bên trong Chip nhớ , kỹ thuật này gọi là ODT, On-Die Termination .
Việc này làm cho tín hiệu trở nên sạch hơn . Hình dưới đây bên tay trái là tín hiệu của bộ nhớ DDR , bên tay phải là của DDR2 có ODT
Chu kì trễ ( Latency )
Bộ nhớ DDR2 làm việc với latency đáp ứng cao hơn bộ nhớ DDR , chúng trễ nhiều chu kì đồng hồ để đưa số liệu được yêu cầu ra . có phải điều này có nghĩa là bộ nhớ DDR2 chậm hơn bộ nhớ DDR . Không hoàn toàn là như thế , chúng ta nói chúng trễ nhiều chu kì đồng hồ nhưng không phải trễ nhiều thời gian .
Nếu chúng ta so sánh bộ nhớ DDR với DDR2 chạy cùng với tốc độ xung nhịp đồng hồ thì bộ nhớ nào có Latency thấp hơn sẽ nhanh hơn . Như vậy nếu có DDR400 CL3 sẽ nhanh hơn DDR2-400 CL4.
Một điều chúng ta cần nhớ bộ nhớ DDR2 có thêm một tham số gọi là AL (Additional Latency) được thêm vào với CL trong tổng số Latency .
Khi so sánh bộ nhớ có tốc độ khác nhau chúng ta cần xem xét trên phương diện toán học .
Trong bộ nhớ DDR400 CL3 , 3 có nghĩa là bộ nhớ trễ 3 xung nhịp đồng hồ để dữ liệu yêu cầu được sẵn sàng ở đầu ra . Khi tốc độ thực của xung nhịp là 200MHz ( 400/2) thì mỗi xung nhịp là 5ns (T=1/f) như vậy Latency = 15ns .
Trong bộ nhớ DDR2-533 CL3 AL0 , 3 vẫn có nghĩa là trễ 3 xung nhịp đồng hồ để dữ liệu yêu cầu được sẵn sàng ở đầu ra . Tốc độ thực của xung nhịp đồng hồ là 266MHz (533/2) , như vậy mỗi một xung nhịp là 3.75ns , dó đó ==> Latency = 11.25 nhanh hơn so với DDR400 CL3 . Do đó DDR2-533 CL4 AL0 có cùng Latency với DDR4 CL3 , một điều chúng ta chua nói đến AL0 , nếu AL1 thì Latency phải thêm 1 xung nhịp đồng hồ nữa vào ===> DDR2 CL3 AL1 có Latency = 4
Chúng ta có thể tính theo so sánh của xung nhịp đồng hồ sau:
Memory Clock Tick Duration (each one) DDR266 7.5 ns
DDR333 6 ns
DDR400 and DDR2-400 5 ns
DDR2-533 3.75 ns
DDR2-667 3 ns
DDR2-800 2.5 ns
Notebook memory
How to Read Kingston ValueRAM Part Numbers
Desktop Top 5 SKUs
Bộ nhớ DDR2 được hỗ trợ cho Maionboard High-end . Sự khác nhau chính giữa bộ nhớ DDR và DDR2 :
Bộ nhớ DDR thường được thấy có tần số 266 MHz, 333 MHz và 400 MHz , trong khi bộ nhớ DDR2 thường thấy có tần số 400 MHz, 533 MHz, 667 MHz , 800 MHz . Cả hai kiểu đều truyền hai dữ liệu trong cùng một xung nhịp đồng hồ . Tần số làm việc ghi trên thanh nhớ không phải là tần số thực mà nó chỉ có giá trị một nửa . Ví dụ bộ nhớ DDR2-667 làm việc với tần số xung nhịp đồng hồ thực là 333MHz.
Bộ nhớ DDR2 có công suất tiêu hao thấp hơn bộ nhớ DDR .
Bộ nhớ DDR là việc với điện áp nuôi 2.5V trong khi DDR2 điện áp là 1.8V .
Trên bộ nhớ DDR có điện trở để đánh dấu vị trí làm việc trên Mainboard , trong khi bộ nhớ DDR2 mạch điện này nằm bên trong Chip nhớ . đó là nguyên nhân tại sao không thể cài bộ nhớ DDR2 vào khe nhớ DDR hoặc ngược lại .
Bộ nhớ DDR có 184 tiếp điểm , trong khi DDR2 có 240 tiếp điểm .
Bộ nhớ DDR có tham số CL - “CAS Latency” - có thể 2, 2.5 hoặc 3 chi kì đồng hồ trong khi bộ nhớ DDR2 giá trị này có thể là 3,4 hoặc 5 chu kì đồng hồ .
Trong bộ nhớ DDR , tuỳ theo Chip nhớ , giá trị AL là 0,1,2,3,4 hoặc 5 chu kì đồng hồ . Bộ nhớ DDR2 có CL4 và AL1 là 5 .
Trong bộ nhớ DDR2: thời gian để ghi = thời gian đọc (CL+AL) + 1
Phần điều khiển bên trong bộ nhớ DDR làm việc bằng cách tải trước 02 bit dữ liệu từ vùng lưu trữ ( gọi là Prefetch) , trong khi bộ nhớ DDR2 giá trị này là 04 bit .
Thanh nhớ DDR và DDR2 có cùng kích thước vật lí , nhưng bộ nhớ DDR có 184 tiếp điểm , DDR2 có 240 tiếp điểm , theo hình dưới đây :
Như vậy không có cách nào để cắm lẫn nhau giữa bộ nhớ DDR và DDR2 .
Tất cả Chip nhớ DDR2 dùng đóng gói kiểu BGA (Ball Grid Array) , hình dưới
Hầu hết Chip nhớ của DDR dùng TSOP (Thin Small-Outline Package) , theo hình dưới đây :
Điện trở cuối
Trong thanh nhớ DDR cần điện trở đầu cuối để xác định vị trí trên Mainboard , trong khi đối với bộ nhớ DDR2 mạch điện này nằm bên trong Chip nhớ , kỹ thuật này gọi là ODT, On-Die Termination .
Việc này làm cho tín hiệu trở nên sạch hơn . Hình dưới đây bên tay trái là tín hiệu của bộ nhớ DDR , bên tay phải là của DDR2 có ODT
Chu kì trễ ( Latency )
Bộ nhớ DDR2 làm việc với latency đáp ứng cao hơn bộ nhớ DDR , chúng trễ nhiều chu kì đồng hồ để đưa số liệu được yêu cầu ra . có phải điều này có nghĩa là bộ nhớ DDR2 chậm hơn bộ nhớ DDR . Không hoàn toàn là như thế , chúng ta nói chúng trễ nhiều chu kì đồng hồ nhưng không phải trễ nhiều thời gian .
Nếu chúng ta so sánh bộ nhớ DDR với DDR2 chạy cùng với tốc độ xung nhịp đồng hồ thì bộ nhớ nào có Latency thấp hơn sẽ nhanh hơn . Như vậy nếu có DDR400 CL3 sẽ nhanh hơn DDR2-400 CL4.
Một điều chúng ta cần nhớ bộ nhớ DDR2 có thêm một tham số gọi là AL (Additional Latency) được thêm vào với CL trong tổng số Latency .
Khi so sánh bộ nhớ có tốc độ khác nhau chúng ta cần xem xét trên phương diện toán học .
Trong bộ nhớ DDR400 CL3 , 3 có nghĩa là bộ nhớ trễ 3 xung nhịp đồng hồ để dữ liệu yêu cầu được sẵn sàng ở đầu ra . Khi tốc độ thực của xung nhịp là 200MHz ( 400/2) thì mỗi xung nhịp là 5ns (T=1/f) như vậy Latency = 15ns .
Trong bộ nhớ DDR2-533 CL3 AL0 , 3 vẫn có nghĩa là trễ 3 xung nhịp đồng hồ để dữ liệu yêu cầu được sẵn sàng ở đầu ra . Tốc độ thực của xung nhịp đồng hồ là 266MHz (533/2) , như vậy mỗi một xung nhịp là 3.75ns , dó đó ==> Latency = 11.25 nhanh hơn so với DDR400 CL3 . Do đó DDR2-533 CL4 AL0 có cùng Latency với DDR4 CL3 , một điều chúng ta chua nói đến AL0 , nếu AL1 thì Latency phải thêm 1 xung nhịp đồng hồ nữa vào ===> DDR2 CL3 AL1 có Latency = 4
Chúng ta có thể tính theo so sánh của xung nhịp đồng hồ sau:
Memory Clock Tick Duration (each one) DDR266 7.5 ns
DDR333 6 ns
DDR400 and DDR2-400 5 ns
DDR2-533 3.75 ns
DDR2-667 3 ns
DDR2-800 2.5 ns
Notebook memory
How to Read Kingston ValueRAM Part Numbers
Desktop Memory
Desktop Top 5 SKUs
| KVR800D2N6/2G | 2GB 800MHz DDR2 Non-ECC CL6 DIMM |
| KVR800D2N6/1G | 1GB 800MHz DDR2 Non-ECC CL6 DIMM |
| KVR667D2N5/1G | 1GB 667MHz DDR2 Non-ECC CL5 DIMM |
| KVR667D2N5/2G | 2GB 667MHz DDR2 Non-ECC CL5 DIMM |
| KVR400X64C3A/1G | 1GB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM |
Đăng nhận xét